LED技術突破
：2018-03-06
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美國研究人員制作無下垂LED
香檳分校伊利諾伊大學的研究人員開發(fā)了一種制造更明亮、更高效的綠色LED今年的新方法。使用工業(yè)標準的半導體生長方法，在硅襯底上生長氮化鎵（GaN）立方晶體，以產(chǎn)生用于固態(tài)照明的強大的綠光。
“這項工作是非常革命的這為新型綠色波長的發(fā)射器，可以針對先進的固態(tài)照明在一個可擴展的CMOS硅平臺的新材料開發(fā)，立方氮化鎵，說：”可以Bayram，于伊利諾斯電氣和計算機工程的助理教授
通常，氮化鎵形成兩種晶體結構之一：六方晶系或立方晶系。六方GaN在熱力學上是穩(wěn)定的，傳統(tǒng)的半導體應用形式。然而，六方形式的GaN更容易極化，內部電場將帶負電的電子和帶正電的空穴分開，阻止它們結合，從而降低光輸出效率。
巴伊蘭和他的研究生Richard Liu的研究引入了一個立方GaN晶體的形式，他們認為它可以使LED零下垂。對于綠色，藍色或紫外線LED，發(fā)光效率普遍下降，較高的電流輸入，其特點是“下垂”。
進一步閱讀的相關文章：研究人員使綠色LED更加明亮和高效。
Ostendo Epilab推出世界上第一個全彩色的GaN基LED
位于卡爾斯巴德加利福尼亞南部，Ostendo EpiLab推出了世界上第一個RGB LED?；贚ED的GaN技術使用三個特定的材料構成的量子結構發(fā)出不同顏色的光，顏色LED可以單獨或混合排放。傳統(tǒng)的LED通常是單色的，只能發(fā)出一個波長。為了實現(xiàn)多彩的RGB照明效果，需要一個以上的LED來混合所需的顏色。
顏色由LED所用的熒光粉涂層或襯底材料決定。只有少數(shù)研究人員試圖制造一種能夠發(fā)射全范圍RGB顏色的LED芯片。
ostendo開發(fā)下一代固態(tài)照明（SSL）為基礎的顯示技術和產(chǎn)品的商業(yè)和消費市場的目的在實現(xiàn)效率和成本效益的材料，設備和系統(tǒng)的水平。ostendo的有利的技術支持，在各自的市場顛覆性的產(chǎn)品。
紫外LED曲面透鏡技術進展
重慶綠色智能在中國科學院公布了新的進步，在紫外LED曲面透鏡技術所集成光學技術研究所，可應用于紫外光源接觸，PCB，液晶顯示器，甚至在觸摸屏的應用。中國研究院已獲得專利cn203642076u UV LED透鏡，和高度統(tǒng)一的UV LED曝光cn201420651432.4。
傳統(tǒng)的平行光曝光機使用高壓水銀燈因為光源有很短的壽命為1000小時，高功率消耗和污染物。用以取代汞燈光源的紫外發(fā)光二極管壽命幾乎是汞燈的50倍，可將能源消耗減少90%，大大降低生產(chǎn)成本，降低環(huán)境污染。
該研究所在LED多個曲面的精密照明方面取得了重大突破，適用于紫外波段和非有機光學元件加工等關鍵技術。研制的初始階段是以紫外LED準直曝光機為基礎，準直半角度可控制在2°以內，照度分布不均勻小于3%，光強可達40毫瓦/平方厘米。
saphlux開發(fā)新技術來解決問題，Shuji Nakamura就
于2014由來自耶魯大學的Jung Han教授，GaN材料供應商saphlux終于在2016年初提供了新的解決方案。該公司拒絕透露細節(jié)，因為它涉及到機密業(yè)務信息，最終擺脫了傳統(tǒng)的半極性氮化鎵材料增長模型。該公司已能夠提供標準的大尺寸藍寶石襯底，可直接用于生長半極化氮化鎵，并控制晶體的生長方向和形狀。
這項技術突破表明，該行業(yè)將能夠解決量子下垂的瓶頸，以及第一代LED材料的綠色差距，從而生產(chǎn)出高效的LED和激光器。
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